6月11日，据韩国科技媒体《THEELEC》，SK海力士已完成下一代V10系列375层3D NAND闪存生产验证，正推进产线转换，目标2026年透过现有工厂升级实现大规模量产，挑战三星电子在超高堆叠技术的领先地位。此次技术迭代最大亮点在于金属布线层的材料革新，将部分字线从传统钨换为钼。随着3D NAND向600层以上迈进，钼材料有望成为超高堆叠时代的核心关键。